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Pays de livraisonFrance Belgique Suisse DOM-TOM

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Samsung MZ-750120BW



 

Disque dur 120 Go, SSD Haute Performance SerialATA III (2" 1/2), Série 750 EVO NAND flash memory V-NAND 3D, cache 256 Mo SAMSUNG

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Disque dur haute performance Samsung. technologie SSD Solid State Drive, c'est à dire à base uniquement de mémoire au lieu de plateau physiques. Ceci accroit la vitesse de traitement et la fiabilité par la suppression des éléments physiques.
Ce SSD est à base de puces V-NAND 3D TLC.



  • Durée de vie estimé (MTBF) 1 500 000 heures (soit 5 ans minimum) ou 35 TBW (Terabytes Written/écrits)

  • AES : Cryptage Full Disk en 256 bits (class 0)

  • contrôleur : Samsung 3D-Core MGX (400 MHz) / Cortex-R4, DMI à 1.66 MHz

  • cache : DDR3 256 Mo 

  • livré avec le logiciel Magician pour gérer le disque.


1. Architecture : V-NAND 3D TLC 40 nm

2. Bande passante :   
- Lecture jusqu'à 540 MB/sec en Sata III 6 Gb/s 
- écriture jusqu'à 520 MB/sec en Sata III 6 Gb/s 
 

4. Opérations par seconde (Random I/O = In / Out)
- lecture Aléatoire de 4 KB jusqu'à 94 000 IOPS (Entrée / Sortie par seconde)
- jusqu'à 94 000 IOPS (Entrée / Sortie par seconde)

Garantie 3 ans
Nouveauté : janvier 2015

http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/product/consumer/750evo.html

 

Identification

DésignationDisque dur SSD 120 Go Samsung - 750 EVO

MarqueSamsung

RéférenceMZ-750120BW

Code EAN8806088101743

 

Caractéristiques

Format2 pouces 1/2 Slim

Capacité120 Go

Cache256 Mo

EmplacementEmplacement interne

Type de connecteurConnecteur(s) Serial ATA (de données 7 broches)

Protocoles de connexionSérial ATA I @ 1,33 Gb/s
Sérial ATA I @ 1,50 Gb/s
Sérial ATA II @ 3,0 Gb/s
Sérial ATA III @ 6,0 Gb/s

Utilise une alimentation électriqueOui

Temps d'accès moyen0.80 ms

Taux de transfert moyen530 MB/s

Niveau sonore0 dBA